Samsung na predstojećoj IEEE međunarodnoj konferenciji „Solid-State Circuit“ 2024. godine navodno planira da, između ostalog, predstavi i memorijski superbrzi DDR5 čip sa duplo većim kapacitetom u istoj veličini kućišta kao i prethodni 16 Gb DDR5 DRAM modul. Osim toga, novi čip dolazi sa velikom brzinom prenosa podataka od 8000 Mbps.

Uz tu brzinu, novi superbrzi DDR5 čip koristi simetrično-mozaičku strukturu, kreiranu pomoću pete generacije Samsung 10 nm proizvodnog procesa posebno prilagođenog za DRAM proizvode.

Ova tehnologija omogućava izradu DIMM modula od 32 GB i 48 GB na impresivnim DDR5-8000 brzinama u jednostrukim konfiguracijama, dok podržava i 64 GB i 96 GB DIMM module sa konfiguracijama u dva ranga.

Superbrzi DDR5 čip omogućava i manju potrošnju energije

Kada je novi DDR5 proizvod prvi put najavljen krajem 2023. godine, Sangdžun Hvang, izvršni potpredsednik DRAM proizvoda i tehnologije u kompaniji Samsung Electronics rekao je:

„Sa našim DRAM 32 Gb čipovima 12 nm klase, obezbedili smo rešenje koje će omogućiti module do 1 TB (terabajt), što nam daje šansu da budemo idealno pozicionirani da zadovoljimo rastuću potrebu za DRAM čipova velikog kapaciteta u eri veštačke inteligencije. Nastavićemo da razvijamo DRAM rešenja kroz različite tehnologije procesa i dizajna kako bismo razbili granice memorijske tehnologije”.

Samsung